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微納米芯片光刻系統(tǒng)

簡要描述:

微納米芯片光刻系統(tǒng),本機(jī)統(tǒng)針對各大專院校、企業(yè)及科研單位,對光刻機(jī)使用特性研發(fā)的一種高精度光刻系統(tǒng)。

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納米芯片光刻系統(tǒng)本機(jī)統(tǒng)針對各大專院校、企業(yè)及科研單位,對光刻機(jī)使用特性研發(fā)的一種高精度光刻系統(tǒng)。

   公司產(chǎn)品涵蓋金屬材料檢測與非金屬材料檢測,品種達(dá)一百多個。土木工程類高校用到的:大型多功能結(jié)構(gòu)試驗系統(tǒng)、巖土工程試驗系統(tǒng)、自平衡反力架、力學(xué)模型試驗系統(tǒng)、電液伺服疲勞系統(tǒng)、高溫高壓應(yīng)力腐蝕試驗系統(tǒng)、千斤頂檢定裝置等。另有全系列產(chǎn)品:電子wanneng試驗機(jī)系列;液壓wanneng試驗機(jī)系列;壓力試驗機(jī)系列;扭轉(zhuǎn)試驗機(jī);彈簧試驗機(jī);沖擊試驗機(jī)、摩擦磨損試驗機(jī)、鋼絞線錨固松弛試驗機(jī);電纜繩索臥式拉力機(jī)系列;動靜疲勞試驗機(jī)系列、橡膠支座壓剪試驗機(jī)系列;大噸位力學(xué)加載壓力機(jī);飛機(jī)起落架檢測系列;絕緣子檢測系列;特殊定制大型試驗系統(tǒng)。:風(fēng)電葉片疲勞加載綜合測試系統(tǒng)、風(fēng)電機(jī)組葉片疲勞加載綜合測試系統(tǒng)、風(fēng)電葉片雙軸疲勞加載系統(tǒng)、風(fēng)電葉片面向旋轉(zhuǎn)疲勞加載系統(tǒng)、風(fēng)電葉片兩點疲勞加載系統(tǒng)等

一、納米芯片光刻系統(tǒng)主要用途

⒈ 本機(jī)針對各大專院校、企業(yè)及科研單位,對光刻機(jī)使用特性研發(fā)的一種高精度光刻機(jī)。

⒉ 由于本機(jī)找平機(jī)構(gòu)先進(jìn),找平力小、使本機(jī)不僅適合單晶硅片、玻璃片、陶瓷片、銅片、不銹鋼片、寶石片的曝光,而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片、的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

3.工作方式 :本機(jī)為單面對準(zhǔn)、單面曝光。

二、技術(shù)參數(shù)

1.曝光時間調(diào)解器:0.1至999.9秒(可調(diào)節(jié)精度0.1s);
2.365-400nm光強(qiáng)傳感及電源供應(yīng)控制電路及反饋閉環(huán);
3.聲控功率警報裝置可防止系統(tǒng)功率超過設(shè)定指標(biāo);
4.有安全保護(hù)裝置的溫度及其氣流傳感器;
5.全景準(zhǔn)直透鏡光線偏差半角:<1.84度;
6.波長濾片檢查及安裝裝置;
7.抗衍射反射功能高效反光鏡;
8.二向色的防熱透鏡裝置;
9.防汞燈泄漏裝置;
10.配備蠅眼棱鏡裝置;
11.配備近紫外(或深紫外)光源

12.主要配置:6“,8"光源系統(tǒng),
13.手動系統(tǒng),半自動系統(tǒng)。
14..CCD或顯微鏡對準(zhǔn)系統(tǒng)。
15.接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV):0.5 um。
16.支持背后對準(zhǔn)及MEMS工藝要求。
17.主要性能指標(biāo):光強(qiáng)均勻性Beam Uniformity:--<±1% over 2"。區(qū)域,--<±2% over 4"區(qū)域,--<±3% over 6"區(qū)域。

三、主要構(gòu)成:主要由高精度對準(zhǔn)工作臺、雙目分離視場顯微鏡顯示系統(tǒng)、曝光頭、氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)、直聯(lián)式無油真空泵、防震工作臺和附件等組成。

四、主要功能特點

1.適用范圍廣:適用于Φ100mm以下,厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準(zhǔn)曝光。

2.結(jié)構(gòu)先進(jìn):具有半球式找平機(jī)構(gòu)和可實現(xiàn)真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機(jī)構(gòu)。

3.操作簡便:采用翻板方式取片、放片;按鈕、按鍵方式操作,可實現(xiàn)真空吸版、吸片、吸浮球、吸掃描鎖等功能,操作、調(diào)試、維護(hù)、修理都非常簡便。

4.特設(shè)“碎片"處理功能:解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準(zhǔn)的問題。

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